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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
53
75
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.9
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
75
读取速度,GB/s
3,726.4
15.2
写入速度,GB/s
1,590.1
6.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
1660
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
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