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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
53
左右 -61% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.7
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
33
读取速度,GB/s
3,726.4
16.1
写入速度,GB/s
1,590.1
11.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2867
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
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