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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
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规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
48
左右 -78% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
27
读取速度,GB/s
8.9
14.6
写入速度,GB/s
5.9
10.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2290
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
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G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
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