RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
48
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
27
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2290
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link