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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston X2YH1K-MIE 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
53
左右 -33% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.8
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
40
读取速度,GB/s
3,726.4
16.6
写入速度,GB/s
1,590.1
9.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2875
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB RAM的比较
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
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