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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
41
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
13.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
28
读取速度,GB/s
13.3
14.0
写入速度,GB/s
9.0
7.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
2663
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
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