RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
41
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
13.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
2663
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link