RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
41
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2016
2663
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix LuoSilk-8G-1600Mhz 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link