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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
45
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
35
读取速度,GB/s
11.9
15.7
写入速度,GB/s
8.1
11.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2767
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
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