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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
53
左右 -43% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
37
读取速度,GB/s
3,726.4
14.7
写入速度,GB/s
1,590.1
10.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2592
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
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