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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
53
左右 -39% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
38
读取速度,GB/s
3,726.4
15.0
写入速度,GB/s
1,590.1
12.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3005
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
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G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
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