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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
53
左右 -104% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
26
读取速度,GB/s
3,726.4
18.0
写入速度,GB/s
1,590.1
13.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3417
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
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