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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
53
左右 -104% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.1
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
26
读取速度,GB/s
3,726.4
14.5
写入速度,GB/s
1,590.1
10.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2480
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
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