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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
53
左右 -130% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.8
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
23
读取速度,GB/s
3,726.4
17.7
写入速度,GB/s
1,590.1
13.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2818
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
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Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
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