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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
53
55
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
9.4
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.2
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
55
读取速度,GB/s
3,726.4
9.4
写入速度,GB/s
1,590.1
7.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2117
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB RAM的比较
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
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