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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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需要考虑的原因
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
53
左右 -51% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.1
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
35
读取速度,GB/s
3,726.4
9.1
写入速度,GB/s
1,590.1
8.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2229
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
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Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
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