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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
57
左右 37% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
9.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.1
15
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
57
读取速度,GB/s
15.0
20.1
写入速度,GB/s
10.3
9.8
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
2328
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
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