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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
53
左右 -71% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.6
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
31
读取速度,GB/s
3,726.4
16.4
写入速度,GB/s
1,590.1
12.6
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3046
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
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