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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
53
左右 -83% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.3
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
29
读取速度,GB/s
3,726.4
18.8
写入速度,GB/s
1,590.1
14.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3611
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
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