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TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
比较
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
总分
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
29
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.3
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.1
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
23
读取速度,GB/s
10.5
20.3
写入速度,GB/s
5.2
18.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1780
4173
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB RAM的比较
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
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Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
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