RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.7
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
12.5
17.7
写入速度,GB/s
8.4
15.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
3593
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
INTENSO 5641152 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link