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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
26
读取速度,GB/s
12.5
15.4
写入速度,GB/s
8.4
11.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
2771
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
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