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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
25
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.3
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
22
读取速度,GB/s
12.5
19.3
写入速度,GB/s
8.4
17.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
3653
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
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