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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Kingston 9965604-008.D00G 16GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
34
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.5
10.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
34
读取速度,GB/s
12.5
10.7
写入速度,GB/s
8.4
7.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
2220
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
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