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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Kingston K821PJ-MIB 16GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
Kingston K821PJ-MIB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston K821PJ-MIB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.8
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
37
读取速度,GB/s
12.5
13.8
写入速度,GB/s
8.4
11.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
2458
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
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