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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
26
读取速度,GB/s
12.5
14.2
写入速度,GB/s
8.4
10.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
2596
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
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Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
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Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
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