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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
38
左右 34% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
38
读取速度,GB/s
12.5
14.0
写入速度,GB/s
8.4
10.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
2055
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
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Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
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Kingston 9965639-002.A01G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
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