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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
比较
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
总分
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
96
左右 -357% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.0
1,336.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
96
21
读取速度,GB/s
2,725.2
15.3
写入速度,GB/s
1,336.0
7.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
438
2276
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
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Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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