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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
比较
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
总分
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
总分
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
33
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.7
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
33
读取速度,GB/s
14.1
20.7
写入速度,GB/s
9.5
16.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2354
3500
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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