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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
比较
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
总分
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
总分
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
30
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
30
读取速度,GB/s
14.1
17.8
写入速度,GB/s
9.5
13.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2354
3273
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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