RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB

总分
star star star star star
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

总分
star star star star star
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB

Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB

差异 规格 评论

差异

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB 需要考虑的原因
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 33
    左右 21% 更低的延时
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB 需要考虑的原因
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    17 left arrow 14.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.6 left arrow 9.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    26 left arrow 33
  • 读取速度，GB/s
    14.1 left arrow 17.0
  • 写入速度，GB/s
    9.5 left arrow 14.6
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2354 left arrow 3422

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB RAM的比较

Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB

Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
内存RAM
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
内存RAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
内存RAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
内存RAM
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
内存RAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
内存RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
内存RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
内存RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
内存RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
内存RAM