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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
比较
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
总分
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
总分
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.2
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
29
读取速度,GB/s
14.1
19.2
写入速度,GB/s
9.5
15.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2354
3400
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
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