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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
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规格
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Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
44
左右 -120% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
20
读取速度,GB/s
10.9
21.0
写入速度,GB/s
7.5
17.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
3619
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAM的比较
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
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Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
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