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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
43
44
左右 -2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
43
读取速度,GB/s
10.9
16.7
写入速度,GB/s
7.5
10.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
2430
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
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