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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
总分
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
差异
规格
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差异
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
44
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
28
读取速度,GB/s
10.9
17.1
写入速度,GB/s
7.5
14.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
3379
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
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