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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
总分
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
44
左右 -159% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.1
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.6
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
17
读取速度,GB/s
10.9
21.1
写入速度,GB/s
7.5
19.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
3829
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAM的比较
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
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Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
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