RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
21.2
18.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
14.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
31
左右 -7% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
29
读取速度,GB/s
21.2
18.5
写入速度,GB/s
15.4
14.4
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3486
3457
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF556C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link