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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
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更快的读取速度,GB/s
14.6
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
25
读取速度,GB/s
12.6
14.6
写入速度,GB/s
7.2
12.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
3187
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
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