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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
12.6
18.5
写入速度,GB/s
7.2
13.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
3444
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
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