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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
33
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
33
读取速度,GB/s
12.6
15.7
写入速度,GB/s
7.2
11.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
2634
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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