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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
差异
规格
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差异
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
12.6
16.8
写入速度,GB/s
7.2
11.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
2851
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB RAM的比较
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
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