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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
12.6
18.2
写入速度,GB/s
7.2
14.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
3300
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
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