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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
25
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
22
读取速度,GB/s
12.6
18.5
写入速度,GB/s
7.2
14.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
3392
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
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Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
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