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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
25
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
24
读取速度,GB/s
12.6
20.2
写入速度,GB/s
7.2
15.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
3744
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
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