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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.1
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
12.6
17.1
写入速度,GB/s
7.2
16.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
3742
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
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