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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

总分
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Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

差异 规格 评论

差异

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 83
    左右 70% 更低的延时
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB 需要考虑的原因
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.3 left arrow 12.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 7.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    25 left arrow 83
  • 读取速度，GB/s
    12.6 left arrow 14.3
  • 写入速度，GB/s
    7.2 left arrow 7.8
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2051 left arrow 1752

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较

Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB RAM的比较

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Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
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最新比较

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内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
内存RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
内存RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
内存RAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
内存RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
内存RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
内存RAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
内存RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
内存RAM
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
内存RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
内存RAM