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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
64
左右 61% 更低的延时
需要考虑的原因
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
64
读取速度,GB/s
12.6
17.3
写入速度,GB/s
7.2
8.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
2067
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
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