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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
34
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
34
读取速度,GB/s
12.6
15.9
写入速度,GB/s
7.2
11.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
2800
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
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