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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
12.6
16.6
写入速度,GB/s
7.2
13.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
3007
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
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