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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

总分
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Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB

差异 规格 评论

差异

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 38
    左右 34% 更低的延时
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB 需要考虑的原因
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.6 left arrow 12.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.2 left arrow 7.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    25 left arrow 38
  • 读取速度，GB/s
    12.6 left arrow 13.6
  • 写入速度，GB/s
    7.2 left arrow 9.2
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2051 left arrow 2434

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较

Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
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Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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最新比较

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Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
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内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
内存RAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
内存RAM
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KM9 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KM9 4GB
内存RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
内存RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
内存RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
内存RAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
内存RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
内存RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
内存RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
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